全球半导体解决方案供应商Renesas Electronics（TSE：6723）今天宣布推出三个新的高压650V GAN FET -TP65H030G4PRS -TP65H030G4PRS，TP65H030G4PWS，TP65H030G4PQS，适用于Artection Interletsection（适用于Arting Interal Interlets）（包括新的）（包括新的）（包括新的）。车辆电荷，无中断的电池备用设备，电池能量存储和太阳逆变器。第四代增强（Gen IV Plus）的产品专为多千瓦级应用而设计，将出色的GAN技术与基于栅极的栅极栅极结合在一起，可显着降低电力传输，同时保持基于硅的FET的易于运行。新产品提供了三个包装选项：TOLT，TO-247和TOLL，它为工程师提供了灵活性，可以自定义用于特定电力架构的热力和电路板设计。这三种新产品建于Supergan®稳定且可靠的平台上。采用了平台经常应用证明了经常建筑的消耗模式，并首先由Transphorm创建，而renesas于2024年6月获得。此外，它们通过较低的门电量，输出电容，交叉损失和电阻的动态影响降低电力，并且具有较高的4V-A性能，并且在当前增强的（E-Mode）无法使用的4V-A性能较高。 Gen IV Plus的新产品比上一个Gen IV平台的死亡小14％，基于此，它的耐耐药性（RDS（ON）降低了30％（ON）的效果（FOM）（FOM）（FOM）（FOM）的增长（FOM）的耐药性和输出电容器产品。改进，改进，改进，改进，改进，改进与改进，我促进。电力密度。热性能需求和优化布局，还可以将电力系统与更高的ivision连接到雷纳萨斯（Renesas）说：“在成功发布GAN产品的Gen IV中标志着GAN技术领域的里程碑的第一步，因为Renesas完成了Renesas良好的Superan技术，将Renesas的Superan Technology用Renesas的富裕驱动程序和控制器驱动程序驱动程序和控制器驱动程序驱动程序和控制器驱动程序和控制器的产品效力，并将其用于驱动器，并将其构成驱动器，并将其用于组件，并将其构成组合。 Renesas的新产品基于基于无缝的MOSFET采用了独特的低压调整，这为高压GAN的好处提供了全部效果，因为它的输入阶段使用了硅的fets。NLY促进了设计过程，但也降低了系统开发人员采用GAN技术的阈值。为了满足电动车辆（EV），逆变器，AI数据中心服务器等领域的高需求，更改E能源和工业电力转换，基于GAN的移动产品正迅速成为后代电力半导体的基本技术。与基于半导体的半导体半导体产品相比，它们具有较高的效率，更高的传递频率和较小的尺寸。 Renesas对GAN市场具有独特的好处，该市场提供了涵盖高强度和低强度的全面GAN FET解决方案，这与许多其他仅在低功率领域取得成功的制造商形成鲜明对比。广泛的产品组合允许Renesas满足更广泛的应用和客户应用需求。到目前为止，Renesas已经为高功率应用发送了超过2000万个GAN设备，并通过合并的FATHER-FIMED OP OP在现场超过300亿小时。